Установка Applied Reflexion LK CMP обеспечивает проверенные в производственных условиях, высокопроизводительные решения по планаризации для процесса формирования схем металлических межсоединений на пластинах с использованием химико-механической полировки взамен травления металла из меди, узкощелевой изоляции, применения оксида, поликремния и вольфрама. Высокоскоростные плиты для планаризации и многозонные полировальные головки обеспечивают превосходную однородность и точность с низким прижимным усилием для работы с поколением устройств <45-нм.

Во встроенной системе очистки после процесса химико-механической планаризации поверхности Desica® используется уникальная полно-погружная технология паровой сушки Marangoni® для дистанционного устранения дефектов водяных знаков и снижения количества загрязняющих частиц. Обеспечивается высокое качество очистки пластин после CMP (<100 45-нм дефектов на 300 мм пластине), что если сравнивать с площадью земли, оставшиеся загрязняющие вещества будут охватывать лишь 0,3 акров, размером со средний пригородный сад.

Установка также работает с методиками критических точек, линейной метрологией и обладает расширенными возможностями управления технологическими процессами, обеспечивающими полный контроль и повторяемость для всех типов планаризации. Запатентованная технология «window-in-pad» позволяет контролировать каждую пластину в режиме реального времени без ущерба для пропускной способности. В новой системе критических точек FullVision ™ для работы с диэлектриком использует широкополосная спектроскопия для значительного улучшения индекса воспроизводимости процесса и минимизации брака пластин, вызванного изменениями параметров расходных материалов и поступающих пластин.