Установка InVia Producer обеспечивает инновационный процесс химического осаждения из паровой среды (CVD), при котором происходит осаждение маловыступающего и электрически прочного диэлектрического покрытия в сквозные и промежуточные переходные отверстия в кремнии (TSV).

Для разнообразия проведения процессов TSV, установка InVia обладает возможностью создавать не только контрольный процесс, но и позволяет интегрировать технологическую последовательность операций TSV. Это единственная установка, которая удовлетворяет требования к температурным ограничениям и соответствию для процесса создания переходных отверстий в кремнии (TSV). Уникальный процесс осаждения эпитаксиального слоя позволяет значительно улучшить по сравнению с техническими требованиями значение напряжения пробоя пленки и тока утечки.

Установка InVia также обладает уникальной возможностью наносить покрытие толщиной до 200 нм и толщиной до 1 мкм в широком диапазоне отношений ширины к длине (от 6: 1 до 11: 1).