В современных устройствах скорость передачи данных из структур DRAM становится фактором, ограничивающим производительность системы. Для ускорения передачи требуются более быстрые периферийные затворы и контакты. Технология производства системы Endura HARCobalt PVD позволяет снизить сопротивление на периферийных контактах для обеспечения более высокого значения тока при низких напряжениях.

В установку интегрирована система предварительной очистки Siconi с покрытием из физического осаждения из паровой фазы кобальта и нитрида титана для прямого создания внешних контактов DRAM. Силицид кобальта обеспечивает наименьшее сопротивление контактов с высоким соотношением ширины к длине, что делает возможным получение более высоких токов возбуждения при низком напряжении, и превосходит технологию химического осаждения из паровой среды силицида титана.