Установка Applied Centurai Sprint Tungsten ALD / CVD обеспечивает заполнение контактов / сквозных областей для структур с соотношением ширины к длине от 4: 1 до 7: 1 и расширяет возможности применения технологии осаждения вольфрама до 20-нм / 16-нм для изготовления компонентов логики и памяти.

Установка сочетает в себе применение инновационной технологииосаждения атомных слоев (ALD) вольфрама, которые способствует образованию последующих осажденных слоёв и высокопроизводительного процесса заполнения объёма химическим осаждением из паровой среды вольфрама Sprint CVD.

Использование процесса осаждения атомных слоев(ALD)позволяет уменьшить толщину первичного слоя от типичных значений для CVD от 300 до 12Å, сохраняя при этом превосходные характеристики барьера для создания надежных, воспроизводимых интегральных схем с материалами/барьерами PVD Ti / MOCVD TiN.

Установка iSprint с низкой стоимостью расходных материалов, оптимизированной конструкцией камеры небольшого объёма для осаждения атомных слоев и запатентованной системой быстрой подачи газа обеспечивает быструю, эффективную и экономную продувку газом.